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PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
27
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
19
Velocità di lettura, GB/s
13.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3499
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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