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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
36
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2903
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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