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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston KYXC0V-MID 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MID 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.8
15.2
写入速度,GB/s
8.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2903
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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