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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
13.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3136
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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