RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
36
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2589
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link