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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
33
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2947
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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