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PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
27
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
18
Velocità di lettura, GB/s
13.8
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3564
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
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