Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Punteggio complessivo
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.1 left arrow 15.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 8.7
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 25
    Intorno -4% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.1 left arrow 15.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 8.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2764 left arrow 2326
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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