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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2326
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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