RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2326
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link