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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
38
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2148
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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