RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
59
Intorno -79% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
33
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2876
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link