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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
59
Autour de -79% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2876
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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