RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
59
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2876
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link