RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2876
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link