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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
1,771.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
3200
Intorno 2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
59
Intorno -18% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
59
50
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
3,657.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
1,771.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
3200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
581
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
INTENSO 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
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