Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB

Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,123.3 left arrow 1,771.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 3200
    Por volta de 2% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    50 left arrow 59
    Por volta de -18% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 50
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,833.8 left arrow 3,657.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,123.3 left arrow 1,771.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 3200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    731 left arrow 581
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações