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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,123.3
1,771.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
3200
周辺 2% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
50
59
周辺 -18% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
50
読み出し速度、GB/s
4,833.8
3,657.1
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
1,771.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
3200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
581
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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