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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
58
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
33
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2806
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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