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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
58
Intorno -115% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
27
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3399
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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