Confronto tra le RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 46

Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.8 1,519.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 3200

Intorno 6.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

241 3285

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns