RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
68
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
68
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1904
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link