RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3363
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link