Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 11
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 46
    Intorno -64% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.1 left arrow 1,519.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 3200
    Intorno 5.31 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,909.8 left arrow 11.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,519.2 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    241 left arrow 1775
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti