RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
46
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
25
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2832
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link