Confronto tra le RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

19 46

Intorno -142% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

14.2 1,519.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 3200

Intorno 6 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

241 3220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns