RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.0
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
18.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3872
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link