RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
46
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
23
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3171
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link