RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2244
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link