RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
51
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
51
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2387
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link