RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
51
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
51
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
10.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2387
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link