Confronto tra le RAM Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

43 56

Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.0 1,501.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

23400 4200

Intorno 5.57 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

4-4-4-12 / 533 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

381 2794

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns