Comparaison de la RAM Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Note globale

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

43 56

Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.0 1,501.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

23400 4200

Autour de 5.57 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge

4-4-4-12 / 533 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

381 2794

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns