Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

43 56

Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.0 1,501.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

23400 4200

Wokół strony 5.57 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

4-4-4-12 / 533 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

381 2794

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns