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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Confronto
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,906.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
30
Velocità di lettura, GB/s
4,672.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,906.4
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
698
3164
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
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