RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
64
77
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
64
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2107
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link