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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
77
Intorno -328% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
18
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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