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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
77
左右 -328% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
18
读取速度,GB/s
3,405.2
20.8
写入速度,GB/s
2,622.0
16.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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