RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
77
Intorno -93% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
40
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3015
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link