RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3015
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Mushkin 996902 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link