RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
77
Intorno -196% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
26
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3936
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link