RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
77
Intorno -267% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16000
5300
Intorno 3.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
21
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
16000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3435
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link