RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
77
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
27
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3561
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link