RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3561
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link