RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
77
Intorno -196% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
26
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3666
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link