RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
77
Intorno -120% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
35
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2905
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link