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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
15.8
写入速度,GB/s
2,622.0
12.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2905
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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