RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
77
Intorno -88% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
41
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2656
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link