RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
77
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2656
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link