RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
77
Intorno -97% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
39
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2940
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link